原子层沉积(ALD)是一项真正意义上的纳米技术，使纳米超薄薄膜以一种精确控制的方式沉积。
原子层沉积ALD有两个特征;
自限性原子分层技术增长和高保形涂层。这些特征在半导体工程、微机电系统和其他纳米技术的应用程序使用方面展现许多优势。
原子层沉积的优势
原子层沉积的过程正是每个周期中单个原子层沉积的过程，完全控制的沉积是一个获得纳米尺度的过程:
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保形涂层即使在高深宽比和复杂的结构中也可以实现
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可实现针孔和无颗粒沉积
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一个非常广泛的材料与原子层沉积是可能的，例如:
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氧化物：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, SrTiO3, Ta2O5, Gd2O3, ZrO2, Ga2O3, V2O5, Co3O4, ZnO, ZnO:Al, ZnO:B, In2O3:H, WO3, MoO3, Nb2O5, NiO, MgO, RuO2
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氟化物：MgF2, AlF3
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有机杂化材料：Alucone
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氮化物：TiN, TaN, Si3N4, AlN, GaN, WN, HfN, NbN, GdN, VN, ZrN
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金属：Pt, Ru, Pd, Ni, W
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硫化物：ZnS
ALD工具比较
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Feature 功能
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OpAL®
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FlexAL®
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基板
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最大200毫米晶圆
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最大200毫米晶圆
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液体和固体的前驅物
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最大4路+水、臭氧和气体
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最大8路+水,臭氧和气体
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最大前驅物温度
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200ºC
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200ºC
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拥有快速传递系统Mfc控制下的气体管道：
1) 热气体的前体（例如，NH3, O2）
2) 等离子气体（例如，O2, N2,H2）
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2个内部结构。
多达8个外部安装气路
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多达10个外部安装气路
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等离子体
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选择/現地升级
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选项
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載片
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开腔
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闭锁或片匣
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可集群其他流程模块
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不可
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可以- 第三方公司MESC模块作为特殊选择
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载盘温度范围
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25ºC – 400ºC
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25ºC – 400ºC (部分550ºC)
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椭偏仪接口
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可以
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可以
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快速脉冲ALD阀门接头套管10 ms
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可以
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可以
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原子层沉积系统包括FlexAL和OpAL 兩款。