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TDI,牛津仪器的全资子公司,在氢化物气相外延(HVPE)新型化合物半导体,如GaN、AlN、AlGaN、InN、InGaN等方面处于世界领先地 位,刚与FOX集团签订了许可协议。这项协议是收购FOX集团知识产权,牛津仪器可以直接提供LED的硬件和流程和P型掺杂物,除此之外还提供III-V 族氮化物的外延生长工艺和设备。

牛津等离子部生产出PlasmaProTM NGP®1000 HBLED等离子体刻蚀和沉积设备,为HBLED制造业带来极大的好处。业界领先的大规模生产能力生产从61 x 2"到 7 x 6"尺寸的晶片以高品质的设备性能和产量相结合,意味着牛津仪器能够为客户提供一种特殊的HBLED生产。

作为在刻蚀、沉积和生长方面的领先者,牛津仪器等离子部正准备将一套Ionfab®500 Ion Beam高精度沉积离子束设备发往亚洲客户.

牛津仪器等离子技术部是刻蚀、沉积和生长设备的领导者,近期获得位于印度班加罗尔的印度科学院(IISc)纳米电子研究中心(CEN)采购三台等离子刻蚀与沉积设备的订单。

牛津仪器与南安普顿大学电子与计算机工程学院共同宣布,双方签署了研究合作协议。