新白皮书:高性能GaN射频器件的基本步骤

Dr Mark Dineen & Dr Harm Knoops, Oxford Instruments Plasma Technology

介绍

SiC射频设备上的GaN正变得越来越重要,以实现高效率的高频设备满足今天的通信。AlGaN/GaN 2DEG的高电子移动性能够提高开关效率,减少电力损耗。建立这些设备需要精确控制等离子体处理,如果没有这方面的知识,设备的寿命和性能将受到损害。牛津仪器等离子技术通过先进的技术和工艺诀窍提供解决方案。

 

 

 

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