我们的ALD和2D技术专家与埃因霍温科技大学的研究团队一起提出2D过渡金属硫化物(TMDCs)的原子层沉积(ALD)在纳米设备上的应用。

FlexAL-2D ALD系统为2D材料的生长提供了许多好处:

2D材料生长 2D材料的强大ALD工艺

可调谐形态

  • 在CMOS兼容温度下
  • 具有精确的数字厚度控制
  • 在大面积(200mm晶圆)
  • 自限性ALD增长
  • MoS2:
    • 无氧无碳(<2%)
    • 快速生长〜0.1 nm /周期
    • 结晶材料高于300°C

控制基面或边缘平面取向

  •  一个工具实现ALD电介质和其他ALD层在2D材料上生长
    • 创建先进的2D设备结构
  • RF基板偏置选项用于胶片属性控制